内置mosSDH8594AS电源的模块化

SDH8594AS线损补偿：在实际的应用设计中,输岀电压在电缆线上会有不同程度的压降ⅤAB。在不同的电流情况下,输岀端的整流二极管压降VD也会发生改变,需要综合考虑，SDH8594AS通过内部一个电流源来产生带有失调的反馈电压VFB。内部电流源的大小与输出电流大小成比例关系。当负载电流从满载到空载的时候，ⅤFB的失调电压増加,增加量可以通过反馈电阻R1和R2调节。

SDH8594AS CV控制方式：当MOS管关断,反馈电压为正,在FB为正的2/3~1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值Vc的比较、放大,产生恒压环路的关断时间ToF,从而实现输出的恒压。在轻载或者中载的时候,恒压环路产生不同的峰值电流。
SDH8594AS各种保护措施：芯片内部集成多个保护功能,包括过温保护、FB过压保护、VcC过压保护、输岀短路保护、限流保护、大导通时间保护等功能,全部都是芯片自动恢复(除了限流保护),即检测到异常状态后,芯片关断输出,VCC电压开始下降到欠压点,关断内部全部模块,通过耗尽型MOS对∨CC端电容进行充电,重复一个芯片启动的过程。

SDH8594AS电路启动和欠压锁定：系统上电，电路由内置耗尽型MOS管对vCC管脚外置的电容充电。当VCC上升到18V,电路开始工作,关断耗尽型MOs:在电路正常工作过程中,由辅助线圈供电来维持VCC电压;当VCC下降到85V进入欠压锁定状态,耗尽型MOS管打开,对VCC电容供电,VCC上升到18V,电路启动重新工作。
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