PN8308电源电路ic

PN8308内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，集成了控制器及功率MOSFET，控制器实时跟踪功率MOSFET电流，实现50ns内快速关断，有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。

PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。

PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET。

PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期，MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号，为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号，芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内，芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后， 芯片关断值会恢复正常值。
PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上。

PN8308H芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流 功能，当芯片检测到Vds小于开启阈值时，控制器驱 动功率MOSFET开启，此时Vgs达到大值。随着 Isd电流的减小，芯片检测到Isd达到调整阈值区， 芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当原边开关 管导通时，Ids突变达到关断阈值，控制器将快速 关断功率MOSFET。