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    苏州XDM2102单价
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    苏州XDM2102单价

    更新时间:2024-11-12   浏览数:57
    所属行业:电子 电子产品设计
    发货地址:广东省深圳市南山区  
    产品数量:9999.00个
    价格:面议
    封装SOP16 开发可以 烧录可以 编带可以 开票可以
    XDM2102
    4.1. 2300 NMOS 的电气特性参数
    参数描述小值典型值值测试条件
    V(BR)DSS
    Drain-to-Source Breakdown Voltage
    漏源击穿电压19V - - VGS=0V, ID=250uA
    ID(Device Ref.)
    Continuous Drain Current
    漏可持续电流
    - - 2A TJ = 25°C
    RDS(on)
    Static Drain-to-Source On-Resistance
    漏源静态导通电阻
    - 50 mΩ 75 mΩ VGS =5.0V, ID =2A
    - 59 mΩ 90 mΩ VGS =3.0V, ID =1.5A
    VGS(th)
    Gate Threshold Voltage
    栅阈值电压
    0.4V 0.65V 1.0V VDS=VGS, ID=250uA
    IDSS
    Drain-to-Source Leakage Current
    零栅压漏电流- - 1uA VDS =15V, VGS = 0V, TJ = 25°C
    IGSS
    Gate-to-Source Leakage Current
    栅漏电流- - ±100nA VGS = ±12V
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